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CSD17507Q5A

Name: Texas Instruments CSD17507Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17507Q5A
Price: 1.12 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD17507Q5A

Fabr. N.º:

CSD17507Q5A

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

Hoja de datos:

CSD17507Q5A Hoja de datos

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,12 €	1,12 €
	0,697 €	6,97 €
	0,462 €	46,20 €
	0,363 €	181,50 €
	0,328 €	328,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,293 €	732,50 €
	0,286 €	1.430,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Fabr. N.º:

CSD17579Q5A

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSONP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.6 V
Qg (carga de compuertas):	2.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	TW
País de origen:	CN
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CSD17507Q5A
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	83,700 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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CSD17507Q5A 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

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CSD17507Q5A NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments CSD17507Q5A N-channel NexFET™ power MOSFETs are 30V devices deisgned to minimize losses in power conversion applications. TI CSD17507Q5A NexFET power MOSFETs feature low thermal resistance as well as ultralow gate charge totla (Qg) and gate charge gate to drain (Qgd). The TI CSD17507Q5A has a 1.6V threshold voltage. These TI NexFET power MOSFETs are optimized for control FET applications and are also ideal for point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems.