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CSD13383F4T

Name: Texas Instruments CSD13383F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13383F4T
Price: 1.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD13383F4T

Fabr. N.º:

CSD13383F4T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

Hoja de datos:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,22 €	1,22 €
	0,767 €	7,67 €
	0,44 €	44,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,44 €	110,00 €
	0,376 €	188,00 €
	0,337 €	337,00 €
	0,323 €	807,50 €
	0,32 €	1.600,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Texas Instruments

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MOSFET CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	44 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	2.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	FemtoFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	315 ns
Transconductancia delantera: mín.:	5.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	123 ns
Serie:	CSD13383F4
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	96 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	39 ns
Peso unitario:	0,400 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

CSD13383F4T Hoja de datos

PCN

SPICE Models

CSD13383F4 PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza FemtoFET

Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
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