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CSD13381F4

Name: Texas Instruments CSD13381F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13381F4
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD13381F4

Fabr. N.º:

CSD13381F4

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T

Hoja de datos:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,31 €	0,31 €
	0,192 €	1,92 €
	0,121 €	12,10 €
	0,09 €	45,00 €
	0,071 €	71,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,056 €	168,00 €
	0,051 €	306,00 €
	0,043 €	387,00 €
	0,042 €	1.008,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD13381F4T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,16 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD13381F4T

Descripción:

MOSFET 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.1 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	180 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	650 mV
Qg (carga de compuertas):	1.06 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	3.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	1.5 ns
Serie:	CSD13381F4
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel FemtoFET MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3.7 ns
Peso unitario:	0,400 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza FemtoFET

Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
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MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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