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CSD13306W

Name: Texas Instruments CSD13306W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13306W
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD13306W

Fabr. N.º:

CSD13306W

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,645 €	0,65 €
	0,396 €	3,96 €
	0,259 €	25,90 €
	0,201 €	100,50 €
	0,176 €	176,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,144 €	432,00 €
	0,132 €	792,00 €
	0,125 €	1.125,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD13306WT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,44 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD13306WT

Descripción:

MOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DSBGA-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	700 mV
Qg (carga de compuertas):	11.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.9 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CSD13306W
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	1,700 mg

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CSD13306W PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

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