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STWA65N023M9

Name: STMicroelectronics STWA65N023M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N023M9
Price: 12.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STWA65N023M9

Fabr. N.º:

STWA65N023M9

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Id: corriente de drenaje continuo:	95 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	230 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	MDmesh M9
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	6,100 g

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STWA65N023M9 (Cremallera)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.