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STW48N60M6-4

Name: STMicroelectronics STW48N60M6-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW48N60M6-4
Price: 7.89 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STW48N60M6-4

Fabr. N.º:

STW48N60M6-4

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	39 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	69 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.25 V
Qg (carga de compuertas):	57 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	Mdmesh M6
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns
Peso unitario:	6 g

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STW48N60M6-4 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de compuertas baja (Q_g) con un perfil de capacitancia optimizado para lograr una alta eficiencia sobre topologías nuevas en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh de tecnología Super Junction ofrece un rendimiento de muy alta eficiencia, lo que conlleva una mayor densidad de potencia y una carga de compuertas baja para su uso con frecuencias altas. Los MOSFET de la serie M6 tienen una tensión de ruptura que va de 600 a 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaquetado, incluyendo una solución de paquete TO sin terminales (TO-LL), lo que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de tensiones de funcionamiento para aplicaciones industriales, como cargadores, adaptadores, módulos de cajas de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y solares.