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STPSC8H065BY-TR

Name: STMicroelectronics STPSC8H065BY-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC8H065BY-TR
Price: 3.04 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STPSC8H065BY-TR

Fabr. N.º:

STPSC8H065BY-TR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,04 €	3,04 €
	1,99 €	19,90 €
	1,55 €	155,00 €
	1,36 €	680,00 €
	1,29 €	1.290,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,14 €	2.850,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.45 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	75 A
Ir - Corriente inversa:	7 uA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso unitario:	320 mg

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PCN

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.