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STL38N65M5

Name: STMicroelectronics STL38N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL38N65M5
Price: 5.46 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STL38N65M5

Fabr. N.º:

STL38N65M5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,46 €	5,46 €
	3,88 €	38,80 €
	2,86 €	286,00 €
	2,85 €	1.425,00 €
	2,67 €	2.670,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	2,67 €	8.010,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-8x8-HV-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	22.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	105 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	71 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.8 W
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	US
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	Mdmesh M5
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	66 ns
Peso unitario:	15 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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