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STGWA80H65DFBAG

Name: STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA80H65DFBAG
Price: 5.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGWA80H65DFBAG

Fabr. N.º:

STGWA80H65DFBAG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	120 A
Pd (disipación de potencia):	535 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6,100 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB

Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie 650V HB de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura avanzada Trench Gate y Field Stop propietaria. Estos dispositivos representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce_(sat)), hasta 1,6 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE_(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo.
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