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STFW4N150

Name: STMicroelectronics STFW4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW4N150
Price: 5.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STFW4N150

Fabr. N.º:

STFW4N150

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-3PF-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.5 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	63 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerMESH
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	STFW4N150
Cantidad del paquete de fábrica:	300
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	7 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.