STDRIVEG612QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612QTR
STDRIVEG612QTR

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 700

Existencias:
700 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,45 € 4,45 €
4,01 € 40,10 €
3,43 € 85,75 €
3,07 € 307,00 €
2,57 € 642,50 €
2,48 € 1.240,00 €
2,24 € 2.240,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
1,90 € 5.700,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Tiempo de retraso de apagado máximo: 65 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo: 65 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Voltaje de salida: 520 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 65 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 6.8 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Nombre comercial: STDRIVE
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Atributos seleccionados: 0

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STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.