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STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 4.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STDRIVEG600

Fabr. N.º:

STDRIVEG600

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,52 €	4,52 €
	3,45 €	34,50 €
	3,03 €	75,75 €
	2,89 €	289,00 €
	2,75 €	687,50 €
	2,67 €	1.335,00 €
	2,43 €	2.430,00 €
	2,37 €	4.740,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	5.5 A, 6 A
Tensión del suministro - Mín:	4.75 V
Tensión del suministro - Máx:	20 V
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Tiempo de caída:	5 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tipo lógico:	CMOS, TTL
Sensibles a la humedad:	Yes
Voltaje de salida:	520 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.