STB35N65M5

STMicroelectronics
511-STB35N65M5
STB35N65M5

Fabr.:

Descripción:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
6,47 € 6,47 €
4,42 € 44,20 €
3,36 € 336,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
3,14 € 3.140,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Producto similar

STMicroelectronics STB38N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
27 A
85 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 16 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 12 ns
Serie: Mdmesh M5
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 64 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 60 ns
Peso unitario: 4 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N

El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N deSTMicroelectronics depende de MDmesh™ V, una revolucionaria tecnología MOSFET de alimentación basada en un innovador proceso vertical patentado, que se combina con la conocida estructura de distribución horizontal PowerMESH . El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N de STMicroelectronics cuenta con una resistencia de encendido extraordinariamente baja, que es incomparable entre otros MOSFET de alimentación a base de silicio, lo que le hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
Más información