STB18N60M6

STMicroelectronics
511-STB18N60M6
STB18N60M6

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Modelo ECAD:
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En existencias: 883

Existencias:
883 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
2,62 € 2,62 €
1,62 € 16,20 €
1,21 € 121,00 €
1,02 € 510,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
0,946 € 946,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
280 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
16.8 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 9 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 7 ns
Serie: Mdmesh M6
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 16 ns
Peso unitario: 1,380 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de compuertas baja (Qg) con un perfil de capacitancia optimizado para lograr una alta eficiencia sobre topologías nuevas en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh de tecnología Super Junction ofrece un rendimiento de muy alta eficiencia, lo que conlleva una mayor densidad de potencia y una carga de compuertas baja para su uso con frecuencias altas. Los MOSFET de la serie M6 tienen una tensión de ruptura que va de 600 a 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaquetado, incluyendo una solución de paquete TO sin terminales (TO-LL), lo que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de tensiones de funcionamiento para aplicaciones industriales, como cargadores, adaptadores, módulos de cajas de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y solares.