STB10N60M2

STMicroelectronics
511-STB10N60M2
STB10N60M2

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.075

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
2,09 € 2,09 €
1,35 € 13,50 €
0,92 € 92,00 €
0,746 € 373,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
0,675 € 675,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
7.5 A
600 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
13.5 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Tiempo de caída: 13.2 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 8 ns
Serie: STB10N60M2
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 32.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 8.8 ns
Peso unitario: 4 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.
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