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SH63N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH63N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH63N65DM6AG
Price: 21.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SH63N65DM6AG

Fabr. N.º:

SH63N65DM6AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 200)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	21,59 €	21,59 €
	16,59 €	165,90 €
	10,84 €	1.084,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 200)
	10,84 €	2.168,00 €
	10,32 €	4.128,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	ACEPACK SMIT-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	53 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	64 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.75 V
Qg (carga de compuertas):	80 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	424 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AQG 324
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	200
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	68 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	28 ns
Peso unitario:	8,200 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH63N65DM6AG Power MOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Power MOSFET is an automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑bridge topology power MOSFET offering 650V blocking voltage. This power MOSFET is AQG 324 qualified and comes in an ACEPACK SMIT low inductance package. The SH63N65DM6AG power MOSFET features very low switching energies, low thermal resistance, and a 3.4kV_rms/min isolation rating. This power MOSFET has a dice-on Direct Bond Copper (DBC) substrate that helps the package offer low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The SH63N65DM6AG MOSFET comes in a package with high design flexibility enabling several configurations, including phase-legs, boost, and single-switch through different combinations of internal power switches. This power MOSFET is ideal for switching applications.