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SCTWA90N65G2V-4

Name: STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA90N65G2V-4
Price: 25.04 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCTWA90N65G2V-4

Fabr. N.º:

SCTWA90N65G2V-4

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	25,04 €	25,04 €
	18,93 €	189,30 €
	18,12 €	1.812,00 €
	17,27 €	10.362,00 €

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	119 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	24 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	157 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	565 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	16 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	38 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	58 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns
Peso unitario:	6,080 g