SCTW100N65G2AG

STMicroelectronics
511-SCTW100N65G2AG
SCTW100N65G2AG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 281

Existencias:
281 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 281 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
29,66 € 29,66 €
22,12 € 221,20 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
100 A
69 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
162 nC
- 55 C
+ 200 C
420 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: SCTW100N65G2AG
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Peso unitario: 4,500 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99