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SCTL90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTL90N65G2V
Price: 25.08 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCTL90N65G2V

Fabr. N.º:

SCTL90N65G2V

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	25,08 €	25,08 €
	19,18 €	191,80 €
	19,14 €	1.914,00 €
	19,13 €	19.130,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	17,91 €	53.730,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	18 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	157 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	935 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	16 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	38 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	58 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns
Peso unitario:	180 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

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