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SCT027HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027HU65G3AG
Price: 11.63 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SCT027HU65G3AG

Fabr. N.º:

SCT027HU65G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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	11,63 €	11,63 €
	8,68 €	86,80 €
	7,51 €	751,00 €
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	6,64 €	3.984,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Cualificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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