SCT012HU90G3AG

STMicroelectronics
511-SCT012HU90G3AG
SCT012HU90G3AG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 600)
16,00 € 9.600,00 €
1.200 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99