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EVALSTDRIVE101

Name: STMicroelectronics EVALSTDRIVE101
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVALSTDRIVE101
Price: 202.92 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-EVALSTDRIVE101

Fabr. N.º:

EVALSTDRIVE101

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía STDRIVE101 demonstration board for three-phase brushless motors

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía
RoHS:
Producto:	Demonstration Boards
Tipo:	Brushless DC Motion Controller
Voltaje de entrada:	6 V to 75 V
La herramienta es para la evaluación de :	STL110N10F7
Serie:	STDRIVE101
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Corriente de salida:	20 A
Empaquetado:	Bulk
Tipo de producto:	Power Management IC Development Tools
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools
Peso unitario:	340,200 g

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Technical Resources

Getting started with the EVALSTDRIVE101 (PDF)

TARIC:: 8473302000
CNHTS:: 8543709990
CAHTS:: 9023000000
USHTS:: 9023000000
JPHTS:: 902300000
MXHTS:: 9023000100
BRHTS:: 90230000
ECCN:: EAR99

STDRIVE101 Demonstration Board (EVALSTDRIVE101)

STMicroelectronics STDRIVE101 Demonstration Board (EVALSTDRIVE101) provides an evaluation platform for the STDRIVE101 triple half-bridge gate driver and the STL110N10F7 STripFET™ F7 power MOSFET. The EVALSTDRIVE101 board is designed to drive three-phase brushless DC motors, and it can be interfaced with various STM32 microcontrollers through the motor control connector. The board can be configured in single- and three-shunt and supports FOC and six-step algorithms in both configurations. The onboard Hall sensor connector and the phase sensing network enable users to implement both sensor and sensorless algorithms for motion control. The STMicroelectronics EVALSTDRIVE101 fully evaluates the STDRIVE101 and its features, which include the embedded comparator for overcurrent protection and the drain-source voltage sensing of each power MOSFET.