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PJD45N06SA-AU_L2_006A1

Name: Panjit PJD45N06SA-AU_L2_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJD45N06SAAUL26A
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

241-PJD45N06SAAUL26A

Fabr. N.º:

PJD45N06SA-AU_L2_006A1

Fabr.:

Panjit

Descripción:

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

PJD45N06SA-AU_L2_006A1 Hoja de datos (PDF)

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	0,352 €	1.056,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252AA-2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	13.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	16 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	45 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	19 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6.5 ns
Alias de parte #:	PJD45N06SA
Peso unitario:	321,700 mg

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.