Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

MSC040SMA120B4

Name: Microchip MSC040SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC040SMA120B4
Price: 15.02 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

494-MSC040SMA120B4

Fabr. N.º:

MSC040SMA120B4

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4

Ver en el Selector de herramientas de desarrollo

Hoja de datos:

MSC040SMA120B4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Microchip Technology MSC040SMA120B4

En existencias: 7

Existencias:: 7 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 7 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	15,02 €	15,02 €
	13,85 €	415,50 €
	12,06 €	1.447,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	66 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	40 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	137 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	323 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Peso unitario:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSC040SMA120B4 Hoja de datos (PDF)

DTS

Ver en el Selector de herramientas de desarrollo

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.