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SI5618A-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SI5618A-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SI5618A-TP
Price: 0.46 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

833-SI5618A-TP

Fabr. N.º:

SI5618A-TP

Fabr.:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFET

Hoja de datos:

SI5618A-TP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,464 €	0,46 €
	0,288 €	2,88 €
	0,184 €	18,40 €
	0,138 €	69,00 €
	0,125 €	125,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,111 €	333,00 €
	0,097 €	582,00 €
	0,089 €	801,00 €
	0,084 €	2.016,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	160 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	10.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	5.9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	SI5618A
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.