Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 176.66 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

941-GTVA262701FAV2R0

Fabr. N.º:

GTVA262701FA-V2-R0

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

Hoja de datos:

GTVA262701FA-V2-R0 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre MACOM GTVA262701FA-V2-R0

En existencias: 53

Existencias:: 53 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Las cantidades mayores que 53 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	176,66 €	176,66 €
	149,18 €	1.491,80 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)
	149,18 €	7.459,00 €
100	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	H-87265J-2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	125 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Temperatura operativa máxima:	+ 225 C
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	17 dB
Frecuencia operativa máxima:	2.69 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.496 GHz
Energía de salida:	270 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V to 2 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GTVA262701FA-V2-R0 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

JFET y FET LDMOS FET de RF 5G

Los transistores con efecto de campo de unión RF (JFET) 5 G de MACOM y los semiconductores de óxido de metal de difusión lateral (LDMOS) FET son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la siguiente generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología GaN on SiC de transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), adaptación de entrada, una alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin lengüetas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para su uso en aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiprotocolo.