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GTRA362802FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA362802FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362802FCV1R0
Price: 215 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-GTRA362802FCV1R0

Fabr. N.º:

GTRA362802FC-V1-R0

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Hoja de datos:

GTRA362802FC-V1-R0 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	215,00 €	215,00 €
	165,48 €	1.654,80 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 50)
	165,48 €	8.274,00 €
100	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	H-37248C-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	125 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5.4 A
Temperatura operativa máxima:	+ 225 C
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	13.5 dB
Frecuencia operativa máxima:	3.6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	3.4 GHz
Energía de salida:	280 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V to 2 V

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PCN

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

JFET y FET LDMOS FET de RF 5G

Los transistores con efecto de campo de unión RF (JFET) 5 G de MACOM y los semiconductores de óxido de metal de difusión lateral (LDMOS) FET son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la siguiente generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología GaN on SiC de transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), adaptación de entrada, una alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin lengüetas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para su uso en aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiprotocolo.