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CGH40010F

Name: MACOM CGH40010F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40010F
Price: 82.82 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGH40010F

Fabr. N.º:

CGH40010F

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt

Hoja de datos:

CGH40010F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	82,82 €	82,82 €
	63,86 €	638,60 €
	62,18 €	6.218,00 €
500	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440166
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.5 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	CGH40010-TB
Ganancia:	14.5 dB
Frecuencia operativa máxima:	6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2 GHz
Energía de salida:	12.5 W
Empaquetado:	Tray
Producto:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V to 2 V
Peso unitario:	7,396 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.
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