ISC040N10NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC040N10NM7ATMA
ISC040N10NM7ATMA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 827

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
3 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,22 € 2,22 €
1,43 € 14,30 €
1,01 € 101,00 €
0,857 € 428,50 €
0,742 € 742,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
130 A
4 mOhms
20 V
3.2 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: AT
Tiempo de caída: 4.4 ns
Transconductancia delantera: mín.: 55 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 3.3 ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 17.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9.4 ns
Alias de parte #: ISC040N10NM7 SP006167253
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOMoss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.