IPWS65R050CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPWS65R050CFD7AX
IPWS65R050CFD7AXKSA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Modelo ECAD:
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En existencias: 151

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
23 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
9,00 € 9,00 €
6,54 € 65,40 €
5,45 € 545,00 €
4,86 € 2.332,80 €
4,54 € 5.448,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
45 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
102 nC
- 40 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: CoolMOS CFD7A
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: IPWS65R050CFD7A SP005405805
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.