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IPWS65R035CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPWS65R035CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPWS65R035CFD7AX
Price: 6.95 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-IPWS65R035CFD7AX

Fabr. N.º:

IPWS65R035CFD7AXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos:

IPWS65R035CFD7AXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,95 €	1.668,00 €
	6,19 €	2.971,20 €
	5,79 €	6.948,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	145 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	305 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CoolMOS CFD7A
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	IPWS65R035CFD7A SP005405804

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.