Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IPT60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPT60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R180CM8XTMA
Price: 2.17 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-IPT60R180CM8XTMA

Fabr. N.º:

IPT60R180CM8XTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

IPT60R180CM8XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies IPT60R180CM8XTMA1

En existencias: 2.700

Existencias:: 2.700

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 1.990
Plazo de producción de fábrica:: 8

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,17 €	2,17 €
	1,38 €	13,80 €
	1,01 €	101,00 €
	0,838 €	419,00 €
	0,788 €	788,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,765 €	1.530,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOF-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	18 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	180 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.7 V
Qg (carga de compuertas):	17 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	119 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	600V CM8
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	88.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17.2 ns
Alias de parte #:	IPT60R180CM8 SP005578053

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IPT60R180CM8XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

MOSFET de potencia C7 Gold (G7) CoolMOS™

Los MOSFET de potencia C7 Gold (G7) CoolMOS™ de Infineon Technologies™ están alojados en el nuevo paquete TO sin terminales (TOLL) con el concepto de origen Kelvin Los MOSFET G7 combinan tecnología CoolMOS™ de 600 V y 650 V mejorada, capacidad de origen Kelvin de 4 clavijas y la mejora de las propiedades térmicas del paquete TO sin terminales. Esto permite una solución SMD para topologías de alta corriente de conmutación complicada como corrección del factor de potencia (PFC) hasta 3 kW. En el caso de los G7 de 600 V CoolMOS™™ los MOSFET se pueden utilizar para circuitos de resonancia como LLC de gama alta.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.