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IPDD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPDD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPDD60R180CM8XTM
Price: 2.61 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPDD60R180CM8XTM

Fabr. N.º:

IPDD60R180CM8XTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

IPDD60R180CM8XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,61 €	2,61 €
	1,69 €	16,90 €
	1,16 €	116,00 €
	0,937 €	468,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1700)
	0,781 €	1.327,70 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HDSOP-10
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	21 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	180 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.7 V
Qg (carga de compuertas):	17 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	169 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	600V CM8
Cantidad del paquete de fábrica:	1700
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	88.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17.2 ns
Alias de parte #:	IPDD60R180CM8 SP005578049

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.