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IMZC120R007M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R007M2HXK
Price: 34.52 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMZC120R007M2HXK

Fabr. N.º:

IMZC120R007M2HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IMZC120R007M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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	34,52 €	34,52 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	PG-TO247-4-U07
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	201 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.1 V
Qg (carga de compuertas):	176 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	711 W
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Enhancement
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	33.6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	60 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	21.5 ns
Serie:	CoolSiC G2
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	76.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	32.4 ns
Alias de parte #:	IMZC120R007M2H SP006031756

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.