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IMBG75R060M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R060M2HXTM
Price: 6.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMBG75R060M2HXTM

Fabr. N.º:

IMBG75R060M2HXTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IMBG75R060M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,25 €	6,25 €
	4,67 €	46,70 €
	3,78 €	378,00 €
	3,38 €	1.690,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,97 €	2.970,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	29 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	78 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	20 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	116 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	CoolSiC G2
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Alias de parte #:	IMBG75R060M2H SP006098927

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.