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IAUCN04S7N010GATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N010GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N010GAT
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IAUCN04S7N010GAT

Fabr. N.º:

IAUCN04S7N010GATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IAUCN04S7N010GATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,81 €	1,81 €
	1,16 €	11,60 €
	0,80 €	80,00 €
	0,678 €	339,00 €
	0,576 €	576,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,538 €	2.690,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-THSOG-4-1
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	252 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.04 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	59 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	123 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	29 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	23 ns
Serie:	OptiMOS 7
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Alias de parte #:	IAUCN04S7N010G SP005984384

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.