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BSG0811NDATMA1

Name: Infineon BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSG0811NDATMA1
Price: 2.68 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BSG0811NDATMA1

Fabr. N.º:

BSG0811NDATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET 15V-30V

Hoja de datos:

BSG0811NDATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,68 €	2,68 €
	1,67 €	16,70 €
	1,22 €	122,00 €
	0,989 €	494,50 €
	0,92 €	920,00 €
	0,886 €	2.215,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,855 €	4.275,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

BSG0811ND

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

2,56 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TISON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	25 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A, 50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, 16 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.6 V
Qg (carga de compuertas):	5.6 nC, 20 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.5 W, 6.25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	1.4 ns, 2.6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	46 S, 90 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.3 ns, 4.7 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	4.3 ns, 8.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.3 ns, 5.6 ns
Alias de parte #:	BSG0811ND SP001075902
Peso unitario:	112,200 mg

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Other

Packaging:PG-TISON-8-4 | BSG0811NDATMA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 25V N-Channel (Cremallera)

Technical Resources

Article Improving Power Density and Efficiency in Servers and Telecom PSD (PDF)

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

USB-C Chargers & Adapters

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