BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BFR840L3RHESDE63
BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Fabr.:

Descripción:
Transistores bipolares RF RF BIP TRANSISTORS

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Pedido:
14.990
Plazo de producción de fábrica:
6
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 15000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™ †
0,697 € 0,70 €
0,445 € 4,45 €
0,365 € 36,50 €
0,349 € 174,50 €
0,336 € 336,00 €
0,323 € 807,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 15000)
0,323 € 4.845,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistores bipolares RF
RoHS:  
BFR840L3
Bipolar
SiGe
75 GHz
2.25 V
2.9 V
35 mA
- 55 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
TSLP-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: DE
Pd (disipación de potencia): 75 mW
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 15000
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: BFR 840L3RHESD E6327 SP000978848
Peso unitario: 0,500 mg
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Transistores RF de Infineon

Los transistores RF de Infineon incluyen amplificadores con bajo nivel de ruido y transistores con un nivel alto de linealidad. Los dispositivos de la categoría de bajo nivel de ruido están basados en la tecnología bipolar de silicio. La frecuencia de transición moderada de fT <20 GHz ofrece facilidad de uso y estabilidad. La tensión de ruptura puede soportar de forma segura una tensión de alimentación de 5 V. Estos transistores son adecuados para utilizarlos en AM sobre VHF/UHF de hasta 14 GHz.

Los transistores de alto nivel de linealidad ofrecen un OIP3 (Salida de punto de interceptación de 3er orden) superior a 29 dBm. Están basados en la tecnología bipolar de silicio de alto volumen y SiGe:C de Infineon para los mejores valores de ruido. Estos dispositivos son perfectos para controladores, preamplificadores y amplificadores de búfer.

BFPx4 RF Transistors

Infineon BFPx4 RF Transistors provide the designer the best possible performance, superior flexibility and price/performance ratio. These are widely used for new emerging wireless applications, where the system specification is not yet firmly established. The BFxx Low Noise Amplifiers (LNAs) include devices suitable for use from AM over VHF/UHF up to 14GHz. These are the latest LNA innovations based on Infineon's reliable high volume 80GHz fT silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. They combine uncompromised RF performance with outstanding robustness against high RF input power overdrive and ESD.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

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