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BFP 740F H6327

Name: Infineon BFP 740F H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFP740FH6327
Price: 0.93 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BFP740FH6327

Fabr. N.º:

BFP 740F H6327

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares RF RF BIP TRANSISTOR

Hoja de datos:

BFP 740F H6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,937 €	0,94 €
	0,584 €	5,84 €
	0,38 €	38,00 €
	0,293 €	146,50 €
	0,265 €	265,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,24 €	720,00 €
	0,214 €	1.284,00 €
	0,212 €	1.908,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

BFP740FH6327XTSA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,48 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares RF
RoHS:
Serie:	BFP740
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	SiGe
Frecuencia de operación:	42 GHz
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	4 V
Voltaje emisor-base VEBO:	1.2 V
Corriente continua del colector:	30 mA
Temperatura operativa mínima:	- 65 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSFP-4
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Pd (disipación de potencia):	160 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	SP000750416 BFP74FH6327XT BFP740FH6327XTSA1
Peso unitario:	1,870 mg

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Transistores RF de Infineon

Los transistores RF de Infineon incluyen amplificadores con bajo nivel de ruido y transistores con un nivel alto de linealidad. Los dispositivos de la categoría de bajo nivel de ruido están basados en la tecnología bipolar de silicio. La frecuencia de transición moderada de fT <20 GHz ofrece facilidad de uso y estabilidad. La tensión de ruptura puede soportar de forma segura una tensión de alimentación de 5 V. Estos transistores son adecuados para utilizarlos en AM sobre VHF/UHF de hasta 14 GHz.

Los transistores de alto nivel de linealidad ofrecen un OIP3 (Salida de punto de interceptación de 3er orden) superior a 29 dBm. Están basados en la tecnología bipolar de silicio de alto volumen y SiGe:C de Infineon para los mejores valores de ruido. Estos dispositivos son perfectos para controladores, preamplificadores y amplificadores de búfer.

BFPx4 RF Transistors

Infineon BFPx4 RF Transistors provide the designer the best possible performance, superior flexibility and price/performance ratio. These are widely used for new emerging wireless applications, where the system specification is not yet firmly established. The BFxx Low Noise Amplifiers (LNAs) include devices suitable for use from AM over VHF/UHF up to 14GHz. These are the latest LNA innovations based on Infineon's reliable high volume 80GHz fT silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. They combine uncompromised RF performance with outstanding robustness against high RF input power overdrive and ESD.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.