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AIMZA75R033M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R033M2HXK
Price: 11.01 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-AIMZA75R033M2HXK

Fabr. N.º:

AIMZA75R033M2HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

AIMZA75R033M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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	8,62 €	86,20 €
	7,18 €	718,00 €
	6,40 €	3.200,00 €
	5,97 €	5.970,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	PG-TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	47 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	37 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	164 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolSiC Automotive Power Device
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns
Alias de parte #:	AIMZA75R033M2H SP006113276

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ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.