Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 30.81 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-AIMZA75R007M2HXK

Fabr. N.º:

AIMZA75R007M2HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

AIMZA75R007M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies AIMZA75R007M2HXKSA1

En existencias: 15

Existencias:: 15 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	30,81 €	30,81 €
	25,21 €	252,10 €
	22,27 €	2.227,00 €
25.000	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	PG-TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	172 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 11 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	169 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	78 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolSiC Automotive Power Device
Tiempo típico de retraso de apagado:	40 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Alias de parte #:	AIMZA75R007M2H SP006113236

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

AIMZA75R007M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.