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AIMDQ75R020M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R020M2HXT
Price: 13.79 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-AIMDQ75R020M2HXT

Fabr. N.º:

AIMDQ75R020M2HXTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

AIMDQ75R020M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	13,79 €	13,79 €
	11,23 €	112,30 €
	9,37 €	937,00 €
	8,36 €	4.180,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 750)
	7,85 €	5.887,50 €
2.250	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-HDSOP-22
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	86 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	25 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	-7 V to + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	59 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	340 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Automotive Power Device
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Alias de parte #:	AIMDQ75R020M2H SP006089223

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ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.