Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IXTT80N20L

Name: IXYS IXTT80N20L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT80N20L
Price: 18.73 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

747-IXTT80N20L

Fabr. N.º:

IXTT80N20L

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET Standard Linear Power MOSFET

Hoja de datos:

IXTT80N20L Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre IXYS IXTT80N20L

En existencias: 2.790

Existencias:: 2.790

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 1.650
Plazo de producción de fábrica:: 37

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	18,73 €	18,73 €
	13,09 €	130,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	32 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	180 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	520 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	Linear
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	29 ns
Transconductancia delantera: mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	44 ns
Serie:	IXTT80N20
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	72 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	29 ns
Peso unitario:	6,500 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXTT80N20L Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.