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IXTP6N50D2

Name: IXYS IXTP6N50D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP6N50D2
Price: 8.85 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXTP6N50D2

Fabr. N.º:

IXTP6N50D2

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	500 V
Id: corriente de drenaje continuo:	6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	550 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	96 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Depletion
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	43 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	72 ns
Serie:	IXTP6N50
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	82 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	28 ns
Peso unitario:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.