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IXTP1R4N100P

Name: IXYS IXTP1R4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP1R4N100P
Price: 3.55 EUR
Availability: InStock

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747-IXTP1R4N100P

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	1.4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	17.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	63 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	28 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Serie:	IXTP1R4N100
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	65 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Peso unitario:	2 g