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IXTP170N13X4

Name: IXYS IXTP170N13X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP170N13X4
Price: 8.08 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXTP170N13X4

Fabr. N.º:

IXTP170N13X4

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET IXTP170N13X4

Hoja de datos:

IXTP170N13X4 Hoja de datos

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	8,08 €	2.424,00 €
	7,14 €	3.570,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	135 V
Id: corriente de drenaje continuo:	170 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	105 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	480 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	X4-Class
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	46 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns
Peso unitario:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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