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IXTH80N20L

Name: IXYS IXTH80N20L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH80N20L
Price: 13.91 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXTH80N20L

Fabr. N.º:

IXTH80N20L

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET Standard Linear Power MOSFET

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	32 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	180 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	520 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	29 ns
Transconductancia delantera: mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	44 ns
Serie:	IXTH80N20
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	72 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	29 ns
Peso unitario:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.