Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

IXTA32P20T-TRL

Name: IXYS IXTA32P20T-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA32P20T-TRL
Price: 8.59 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

747-IXTA32P20T-TRL

Fabr. N.º:

IXTA32P20T-TRL

Fabr.:

IXYS

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 800
Plazo de producción de fábrica:: 27

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,59 €	8,59 €
	6,51 €	65,10 €
	5,43 €	543,00 €
	4,83 €	2.415,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	4,77 €	3.816,00 €

Fabr. N.º Ref.:

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

8,59 €

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	32 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	130 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, 15 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	185 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchP
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	18 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	57 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	32 ns
Peso unitario:	2,500 g