IXBF42N300

IXYS
747-IXBF42N300
IXBF42N300

Fabr.:

Descripción:
MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
57 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 300   Múltiples: 25
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
59,65 € 17.895,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
ISOPLUS-i4-PAK-3
BIMOSFET
Tube
Marca: IXYS
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 25
Subcategoría: Transistors
Peso unitario: 6,500 g
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.