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ADPA1116ACGZN-R7

Name: Analog Devices Inc. ADPA1116ACGZN-R7
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADPA1116ACGZN-R7
Price: 318.99 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

584-ADPA1116ACGZN-R7

Fabr. N.º:

ADPA1116ACGZN-R7

Fabr.:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF GaN Wideband Power Amplifier ICs

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Frecuencia de operación:	300 MHz to 6 GHz
Voltaje operativo de suministro:	28 V
Ganancia:	32.5 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFCSP-32
Tecnología:	GaN
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	ADPA1116
Empaquetado:	Reel
Marca:	Analog Devices
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Kit de desarrollo:	EVAL-ADPA1116
Número de canales:	1 Channel
Pd (disipación de potencia):	28.7 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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TARIC:: 8542330000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

ADPA1116 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (P_OUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (P_IN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the V_DD1 and V_DD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the V_GG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.